Mặc dù chưa rõ liệu mô-đun GDDR7 42,5 Gbps có được sử dụng trên các card đồ họa hay không, nhưng đây vẫn là một bước tiến công nghệ quan trọng đối với Samsung.
Samsung sẽ giới thiệu bộ nhớ GDDR7 siêu nhanh tại ISSCC, với tốc độ nhanh hơn khoảng 77% so với GDDR6 cao cấp.
Các sự kiện đặc biệt của ISSCC sẽ diễn ra tại California từ ngày 16 đến 20 tháng 2, tại San Francisco, nơi các nhà sản xuất chip sẽ trưng bày các sản phẩm hàng đầu của họ. Sự kiện sẽ bao gồm một buổi hội thảo riêng về “Bộ nhớ không bay hơi và DRAM”, dự kiến diễn ra vào ngày 19 tháng 2. Mặc dù sự kiện này không mở cửa cho công chúng, lịch trình vẫn được công bố công khai trên trang web của ISSCC.
Tại sự kiện, Samsung sắp giới thiệu bộ nhớ GDDR7 DRAM hàng đầu của mình, có khả năng hoạt động với tốc độ lên tới 42.5 Gbps. Đây sẽ là một mô-đun 24 Gb hoặc 3 GB, nhắm đến hiệu suất GDDR7 tối ưu nhất, đồng thời cũng tiết kiệm năng lượng hơn so với các thế hệ trước. GDDR7 DRAM hiện đã nhanh hơn khá nhiều so với GDDR6, nhưng vào lúc này, mô-đun 42.5 Gbps vẫn chưa phù hợp để ra mắt cho các GPU.
Dù vậy, công nghệ này có thể được áp dụng trong các sản phẩm tương lai, như dòng card RTX 60 của NVIDIA. Hiện tại, NVIDIA dự kiến trang bị cho GPU Blackwell RTX 50 series của mình những mô-đun GDDR7 với tốc độ lên tới 28 Gbps. Tốc độ này đã cao hơn 4 Gbps so với tốc độ bộ nhớ GDDR6 hàng đầu là 24 Gbps trên RTX 4090. Tuy nhiên, tốc độ bộ nhớ 42.5 Gbps sẽ cao hơn khoảng 77% so với tốc độ 24 Gbps của DRAM GDDR6.
Đáng tiếc, chúng ta không thấy tốc độ bộ nhớ GDDR6 đạt 24 Gbps trên hầu hết các GPU, bao gồm cả RX 7900 XTX và XT của AMD, cũng như GPU RTX 4090 của NVIDIA. Các mô-đun này hoạt động với tốc độ bộ nhớ lần lượt là 20 Gbps và 21 Gbps. Do đó, việc đạt được tốc độ 42.5 Gbps không chắc chắn xảy ra ngay cả trên các GPU trong tương lai.
Hiện tại, GPU Blackwell GeForce RTX 5090 hàng đầu của NVIDIA sẽ sử dụng bộ nhớ 28 Gbps, và có thể được cải thiện lên trên 30 Gbps với các thế hệ tương lai, giống như sự tiến hóa của các mô-đun GDDR6. Dự kiến, RTX 5090 sẽ trang bị 32 GB bộ nhớ GDDR7 trên bus bộ nhớ 512-bit, mang lại băng thông bộ nhớ từ 1,7 đến 2,0 TB/s. Điều này đã cao hơn từ 1,7x đến 2,0x so với RTX 4090, và lý thuyết nếu VRAM trên RTX 5090 đạt 42,5 Gbps, băng thông bộ nhớ sẽ gần chạm mức 2,5 Gbps.
Sự kiện ISSCC Nonvolatile và DRAM cũng sẽ có một bài thuyết trình từ SK Hynix, giới thiệu công nghệ NAND 4D 321 lớp tiên tiến của hãng, hiện đã bước vào giai đoạn sản xuất đại trà.
Theo WCCFTECH