SK Hynix dẫn trước Samsung bằng việc ra mắt bộ nhớ flash NAND TLC 321 lớp
SK Hynix đã vượt mặt đối thủ Samsung bằng việc trở thành nhà sản xuất đầu tiên sản xuất hàng loạt chip nhớ NAND 3D TLC 321 lớp. Thành tựu này hứa hẹn mang đến các sản phẩm bộ nhớ dung lượng cao hơn với giá thành cạnh tranh.
Việc ra mắt chip NAND 4D 1 terabit mới đây của SK Hynix đã thiết lập một kỷ lục mới, tiếp nối thành công trước đó khi là công ty tiên phong trong việc tung ra chip NAND 238 lớp chưa đầy một năm trước. Bước đột phá 321 lớp này có ý nghĩa quan trọng vì nó sẽ đáng kể tăng mật độ lưu trữ cho các ổ SSD dành cho người tiêu dùng và doanh nghiệp.
Công nghệ chip có mật độ cao này sẽ dẫn đến sự ra đời của các ổ SSD giá cả phải chăng với dung lượng vượt quá 100TB. Loại NAND này đặc biệt hữu ích cho các trung tâm dữ liệu AI, bên cạnh đó cũng mang lại lợi ích cho các ứng dụng khác đòi hỏi hiệu năng cao và tiết kiệm năng lượng.
SK Hynix đã sử dụng các tối ưu hóa quy trình sản xuất sáng tạo để tích hợp hơn 300 lớp vào một chip NAND. Công nghệ “Ba Cực” mới của công ty cho phép kết nối đồng thời ba kênh nhớ dọc thông qua một quy trình liên kết điện được tối ưu hóa, nổi bật bởi hiệu suất sản xuất cao và sử dụng vật liệu chịu lực thấp với khả năng tự động hiệu chỉnh độ lệch.
Tuy nhiên, việc liên kết nhiều lớp đã gây ra các vấn đề về ứng suất và độ thẳng hàng mà SK Hynix phải khắc phục. Công ty đã giải quyết điều này bằng cách phát triển vật liệu chịu ứng suất thấp mới và hệ thống tự động hiệu chỉnh độ thẳng hàng để đảm bảo mọi thứ được sắp xếp chính xác trong quá trình sản xuất.
Quá trình mới này cũng đã nâng cao hiệu suất sản xuất lên 59% so với thế hệ trước bằng cách tái sử dụng nền tảng tương tự của NAND 238 lớp. Những cải tiến về hiệu quả này dẫn đến hiệu năng tốt hơn và chi phí thấp hơn trên thị trường. Công ty tuyên bố rằng chip 321 lớp mới có tốc độ truyền dữ liệu nhanh hơn 12%, tốc độ đọc nhanh hơn 13% và hiệu suất năng lượng tốt hơn hơn 10% so với NAND 238 lớp.
SK Hynix dự kiến sẽ cung cấp các thiết bị lưu trữ mới này cho khách hàng trong nửa đầu năm 2025. Thị trường trí tuệ nhân tạo là mục tiêu ban đầu, nhưng các ổ SSD dung lượng cực cao dành cho máy chơi game, chỉnh sửa đa phương tiện và lưu trữ dữ liệu sẽ sớm được tung ra thị trường sau đó.
Samsung đang tích cực đáp trả thông tin này. Gã khổng lồ công nghệ này đang phát triển NAND 400 lớp dự kiến ra mắt vào năm 2026. Họ hy vọng sẽ hoàn thiện công nghệ NAND dọc liên kết vào năm 2030, tạo điều kiện cho việc sản xuất các chip có mật độ cao hơn với hơn 1000 lớp và các ổ SSD có dung lượng tiềm năng vượt quá 200TB. Kioxia của Nhật Bản cũng có kế hoạch tương tự.
Theo Techspot
