UltraRAM, một công nghệ bộ nhớ được kỳ vọng sẽ kết hợp ưu điểm của cả RAM và NAND, đang tiến thêm một bước quan trọng trên hành trình hướng tới sản xuất quy mô công nghiệp. Sau nhiều năm nghiên cứu, công nghệ này đang dần trở thành hiện thực khi IQE plc – nhà cung cấp hàng đầu trong lĩnh vực wafer bán dẫn – thông báo đã hoàn tất dự án phát triển quy trình epitaxy có thể mở rộng trong suốt một năm. CEO Jutta Meier nhận định đây là cột mốc then chốt cho bước chuyển mình sang sản xuất công nghiệp.
UltraRAM: Sự kết hợp đầy hứa hẹn giữa tốc độ và lưu trữ lâu dài
UltraRAM từng được giới thiệu lần đầu trên TechSpot cách đây hơn ba năm với mục tiêu hợp nhất hiệu năng nhanh chóng của RAM và khả năng lưu trữ bền bỉ của NAND trong một thiết bị duy nhất. Ưu điểm vượt trội của công nghệ này là khả năng lưu dữ liệu không bị mất (non-volatile), tốc độ tương đương DRAM, độ bền cao và tiêu thụ năng lượng hiệu quả hơn. Một nguyên mẫu được thử nghiệm trước đây đã đạt thời gian lưu trữ dữ liệu lên đến 1.000 năm và hơn 10 triệu chu kỳ ghi/xóa – vượt xa giới hạn thông thường của bộ nhớ flash hiện tại.
Tham vọng tạo ra một “bộ nhớ toàn năng” – có thể thay thế cả RAM và bộ nhớ lưu trữ – không phải là điều mới. Nhiều tập đoàn lớn như Intel và Samsung cũng từng theo đuổi ý tưởng này. Dù vậy, sản phẩm của họ chưa thực sự tạo được ảnh hưởng đáng kể trên thị trường. Intel đã khai tử nền tảng Optane vào năm 2022, trong khi Samsung mới đây đã khôi phục dòng sản phẩm Z-NAND nhằm lấp đầy khoảng trống.
Cuộc đua bộ nhớ thế hệ mới vẫn tiếp diễn
Không chỉ có UltraRAM, nhiều đối thủ khác cũng đang đẩy mạnh nỗ lực đổi mới công nghệ bộ nhớ. Năm 2020, hai tên tuổi lớn là Kioxia và Western Digital đã hợp tác phát triển XL-FLASH – một giải pháp nhằm đối trọng với nền tảng Optane của Intel.
Tại triển lãm Computex tháng 5 vừa qua, một mẫu SSD tùy chỉnh sử dụng công nghệ XL-FLASH đã được giới thiệu. Đó là sản phẩm N3X SSD của hãng InnoGrit. Thiết bị này đạt tới 3,5 triệu IOPS cho tác vụ đọc ngẫu nhiên. Tốc độ đọc tuần tự đạt 14 GB/s, trong khi ghi tuần tự đạt 12 GB/s. Tốc độ ghi ngẫu nhiên đạt 700.000 IOPS. Độ trễ khi đọc chỉ ở mức 13 micro giây. Những con số này cho thấy tiềm năng đáng kể của bộ nhớ thế hệ mới.
Về phía UltraRAM, công ty phát triển là Quinas đang tích cực làm việc với các xưởng đúc và đối tác chiến lược để chuẩn bị bước vào giai đoạn sản xuất thử nghiệm. Dù chưa thể chắc chắn UltraRAM sẽ đạt được thành công thương mại, nhưng việc công nghệ này vẫn tiếp tục được đầu tư và hoàn thiện cho thấy thị trường vẫn còn niềm tin vào ý tưởng hợp nhất RAM và NAND thành một giải pháp duy nhất. Đây có thể là bước tiến quan trọng giúp thay đổi cách lưu trữ và xử lý dữ liệu trong tương lai.
