Exynos 2700, con chip thế hệ mới mang tên mã “Ulysses”, đang được kỳ vọng sẽ giúp Samsung bứt phá mạnh mẽ trên thị trường di động vào năm 2027. Trong khi dòng Exynos 2600 hiện tại đã gây ấn tượng với giải pháp tản nhiệt bằng đồng, những thông tin rò rỉ mới nhất cho thấy gã khổng lồ Hàn Quốc còn ấp ủ tham vọng lớn hơn nhiều cho thế hệ kế nhiệm, hứa hẹn khắc phục mọi điểm yếu cũ và mang lại hiệu năng đỉnh cao.
Công nghệ sản xuất SF2P và kiến trúc nhân ARM thế hệ mới
Một nguồn tin rò rỉ tuy chưa quá nổi tiếng nhưng lại được các chuyên gia uy tín trong giới theo dõi đã tiết lộ những thông số kỹ thuật bao quát của Exynos 2700. Điểm nhấn đầu tiên và dễ đoán nhất là việc con chip này sẽ tận dụng quy trình sản xuất SF2P tiên tiến của Samsung. Đây là phiên bản kế nhiệm, được nâng cấp từ quy trình 2nm GAA (Gate-All-Around) vốn đã được sử dụng trên Exynos 2600. Để độc giả dễ hình dung, GAA là kiến trúc bóng bán dẫn 3D, nơi cực cổng (Gate) bao quanh hoàn toàn kênh dẫn (channel) ở cả bốn phía, giúp kiểm soát tĩnh điện tốt hơn và giảm ngưỡng điện áp hoạt động, từ đó tiết kiệm pin hơn.
Quy trình SF2P mới hứa hẹn sẽ mang lại mức tăng hiệu suất tổng thể khoảng 12% và giảm mức tiêu thụ năng lượng tới 25% so với nút SF2 thế hệ trước. Đáng chú ý hơn, công nghệ này cho phép nhân xử lý chính (prime core) đạt tốc độ xung nhịp lên tới 4.20GHz, vượt xa mức 3.90GHz cao nhất trên Exynos 2600. Về cấu trúc nhân, Exynos 2700 dự kiến sẽ sử dụng các nhân ARM Cortex-C2. Lưu ý rằng ARM đã thay đổi quy ước đặt tên, bỏ đi nhãn “Cortex”, nên các nhân mới này có thể sẽ ra mắt với tên gọi C2-Ultra và C2-Pro. Dựa trên các dữ liệu này, giới chuyên môn dự đoán Exynos 2700 có thể đạt được mức tăng IPC (số chỉ lệnh trên mỗi chu kỳ) khoảng 35%, với điểm số Geekbench 6 lý thuyết đạt 4.800 điểm đơn nhân và 15.000 điểm đa nhân.
Đột phá trong công nghệ đóng gói và tản nhiệt
Điểm thay đổi mang tính cách mạng nhất trong thiết kế của Exynos 2700 có lẽ nằm ở công nghệ đóng gói. Chipset này được cho là sẽ sử dụng công nghệ đóng gói FOWLP-SbS (Side-by-Side), tận dụng một Khối Đường dẫn Nhiệt (Heat Path Block – HPB) thống nhất bằng đồng cho cả DRAM và bộ vi xử lý (AP). Sự thay đổi này cho phép quá trình tản nhiệt diễn ra hiệu quả hơn rất nhiều. Khác với cách triển khai hiện tại trên Exynos 2600 khi chỉ một phần của AP tiếp xúc trực tiếp với tản nhiệt, công nghệ mới trên Exynos 2700 sẽ cho phép khối tản nhiệt HPB bao phủ toàn bộ bề mặt của bộ vi xử lý, đảm bảo sự ổn định tối đa khi hoạt động ở cường độ cao.
Bên cạnh đó, Samsung dự kiến vẫn sẽ tiếp tục sử dụng kiến trúc đồ họa Xclipse dựa trên công nghệ của AMD cho Exynos 2700. Hiệu năng đồ họa cũng sẽ được hưởng lợi lớn từ tốc độ truyền dữ liệu nhanh hơn nhờ sự hỗ trợ của chuẩn bộ nhớ LPDDR6 và bộ nhớ lưu trữ UFS 5.0. Ước tính hiệu suất tổng thể có thể tăng từ 30 đến 40 phần trăm. Cần biết rằng, chuẩn LPDDR6 hỗ trợ thông lượng lên tới 14.4 Gbps, một con số cực kỳ ấn tượng.
Những ẩn số và kỳ vọng tương lai Exynos 2700
Mặc dù những thông tin rò rỉ là rất hứa hẹn, nhưng vẫn còn khá nhiều ẩn số xung quanh Exynos 2700 khi mà thời điểm ra mắt chính thức vẫn còn cách xa nhiều tháng. Một trong những câu hỏi lớn là liệu Samsung sẽ lựa chọn tích hợp modem mạng vào bên trong chip (integrated modem) hay sử dụng modem rời. Modem rời thường kém hiệu quả năng lượng hơn nhưng lại giúp đơn giản hóa quy trình sản xuất bộ vi xử lý, từ đó giúp tăng tỷ lệ thành phẩm (yields).
Nếu tất cả những đồn đoán này trở thành hiện thực, Exynos 2700 (Ulysses) sẽ trở thành một đối thủ vô cùng nặng ký đối với thế hệ Snapdragon 8 Elite Gen 5 tiếp theo của Qualcomm. Sự thành công của con chip này có thể giúp gã khổng lồ Hàn Quốc thoát khỏi sự phụ thuộc đắt đỏ vào Qualcomm, mở ra một chương mới tự chủ và mạnh mẽ hơn cho mảng kinh doanh điện thoại thông minh của hãng.
